闪存业面临重大技术转折
发布时间：2017-09-07来源：深圳特区报
中国闪存市场峰会在深举行。
Flash（闪存）正面临变革的重要时期。随着技术的快速发展，2017下半年Flash原厂三星、东芝、西部数据等3D NAND（一种非易失性存储技术）纷纷进入量产，英特尔、美光新技术也开始投入商用。原厂之间的技术竞争急剧升温，各大数据中心、企业等领域的数据存储也将迎来新的挑战。
在昨天于深圳举行的中国闪存市场峰会（CFMS2017）上，来自三星、英特尔、美光、江波龙、Marvell等国内外存储重量级企业的大咖嘉宾，聚首探讨在新挑战、新机遇面前，深圳企业及整个业界如何满足中国市场需求及市场创新应用，把脉行业战略布局的重点及未来发展趋势。
●闪存正面临技术转折期
存储芯片市场今年以来的关键词是：缺货涨价。
“从2016年二季度开始，闪存市场经历了有史以来持续时间最长、幅度最高的涨价缺货潮。”深圳市闪存市场资讯有限公司总经理邰炜表示，其中消费类闪存产品每GB销售单价从2016年0.12美元上涨到现在0.3美元以上，主流的eMMC产品上涨幅度超过60%，SSD产品涨价超过80%。
2017年，全球NAND FLASH的总产量达到1620亿GB当量，较2016年提升了40%。目前，市场价格依然较高，部分市场的供应依然不足。
邰炜认为，2016年因2D NAND向3D NAND切换，NAND Flash供不应求，产业链陷入疯狂的抢货潮。3D因为是新技术，工艺复杂，且工期更长，加上芯片的生产设备供应紧张，这些都是影响目前3D进度的重要原因，预计部分市场供应紧张的状况还会持续到年底。此外，除了消费类市场外，在企业级层面，数据中心的市场需求也快速增加，数据存储的需求越来越大。
